第四代QLC 3D NAND闪存
存储容量
更高的存储密度
X3-6070在紧凑的芯片面积上实现了1Tb QLC超大存储容量。
业界领先的I/O速度
基于晶栈®Xtacking® 3.0技术,I/O传输速度达2,400MT/s。
卓越的闪存性能
相比上一代产品,X3-6070读写入性能均提升约100%,显著提升系统响应速度。
更高的可靠性和数据耐久度
晶栈®Xtacking® 3.0技术显著提升了产品的编程/擦写次数和数据耐久度
*注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果,产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考,请以实际销售实物为准。
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