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第四代QLC 3D NAND闪存

X3-6070
基于晶栈®Xtacking® 3.0技术的长江存储第四代QLC 3D NAND闪存颗粒——X3-6070进一步释放了3D NAND闪存潜能,具备行业优异的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗。可广泛应用于企业级、消费级等存储产品中,以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多场景下的大容量存储需求。

存储容量

Tb1
产品详情

更高的存储密度

X3-6070在紧凑的芯片面积上实现了1Tb QLC超大存储容量。


业界领先的I/O速度

基于晶栈®Xtacking® 3.0技术,I/O传输速度达2,400MT/s。


卓越的闪存性能

相比上一代产品,X3-6070读写入性能均提升约100%,显著提升系统响应速度。  


更高的可靠性和数据耐久度

晶栈®Xtacking® 3.0技术显著提升了产品的编程/擦写次数和数据耐久度


*注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果,产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考,请以实际销售实物为准。

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