公司愿景
成为存储技术的领先者
全球半导体产业的核心价值贡献者
全球半导体产业的核心价值贡献者
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。长江存储为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
19年
集成电路12年
3D NAND 研发制造我们的创新历程
2014
长江存储3D NAND闪存项目正式启动
2015
9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证
2016
第一代3D NAND 闪存测试芯片设计完成
长江存储科技有限责任公司成立
长江存储科技有限责任公司成立
2017
第一代3D NAND闪存（X0-A030）设计完成并实现首次流片
2018
2018 第二代3D NAND闪存（X1-9050）实现首次流片
在全球闪存峰会（FMS）上发布 Xtacking™ 架构并获得Best of Show奖项
第一代3D NAND闪存（X0-A030）实现量产
在全球闪存峰会（FMS）上发布 Xtacking™ 架构并获得Best of Show奖项
第一代3D NAND闪存（X0-A030）实现量产
2019
第二代3D NAND闪存（X1-9050）实现量产
第三代 TLC 3D NAND（X2-9060） 设计完成，并实现首次流片
第三代 TLC 3D NAND（X2-9060） 设计完成，并实现首次流片
2020
第三代 QLC 3D NAND（X2-6070）设计完成
零售存储品牌致态SSD上市
eMMC/UFS嵌入式存储通过客户验证
零售存储品牌致态SSD上市
eMMC/UFS嵌入式存储通过客户验证
2021
2021 第三代TLC/QLC NAND（X2-9060/X2-6070）量产
eMMC/UFS量产
eMMC/UFS量产
2022
2022 基于第三代 3D NAND的系统解决方案上市
第四代TLC 3D NAND（X3-9070）研发成功
晶栈®Xtacking®3.0荣获世界闪存峰会（FMS 2022）最具创新存储技术奖
第四代TLC 3D NAND（X3-9070）研发成功
晶栈®Xtacking®3.0荣获世界闪存峰会（FMS 2022）最具创新存储技术奖
2023
第四代 TLC/QLC NAND（X3-9070/X3-9060）量产
2024
第五代 TLC 3D NAND（X4-9060）研发成功并量产
2025
2025年，第五代QLC 3D NAND（X4-6080）发布
晶栈®Xtacking®4.0荣获未来内存与存储峰会（FMS 2025）最具创新存储技术奖
晶栈®Xtacking®4.0荣获未来内存与存储峰会（FMS 2025）最具创新存储技术奖
我们的使命:
用芯书写记忆，让世间美好长存
用芯书写记忆，让世间美好长存
致力于成为存储技术的领先者 全球半导体产业的核心价值贡献者
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。通过不懈努力和技术创新，致力于成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者。
*发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度指1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070面积更小，最高的单颗容量指的是单颗裸片(die) 1.33Tb容量
截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。通过不懈努力和技术创新，致力于成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者。
*发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度指1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070面积更小，最高的单颗容量指的是单颗裸片(die) 1.33Tb容量
+
专利申请
+
工程师投入
专利积累
超过
项
专利申请
超过
项
国际专利
包含
%
的
发明专利
每年新增
项
专利申请