第四代TLC 3D NAND闪存
X3-9070
基于晶栈®Xtacking® 3.0技术的长江存储第四代TLC 3D NAND闪存颗粒——X3-9070进一步释放了3D NAND闪存潜能，具备行业优异的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗。可广泛应用于企业级、消费级和嵌入式等存储产品中，以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多场景下的存储需求。
存储容量
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产品详情
更高的存储密度
X3-9070在紧凑的芯片面积上实现了1Tb超大存储容量。
业界领先的I/O速度
基于晶栈®Xtacking® 3.0技术，I/O传输速度达2,400MT/s。
卓越的闪存性能
更快的闪存读写带宽，为系统产品带来更出色的性能表现。
更高的可靠性和数据耐久度
晶栈®Xtacking® 3.0技术平台为闪存带来更优异的可靠性和更高的数据耐久度。
*注释：本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果，产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考，请以实际销售实物为准。
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