在晶栈^®Xtacking^® 架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。长江存储通过创新布局和缜密验证，经过长达9年在3D IC领域的技术积累和4年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。在指甲盖大小的面积上实现数十亿根金属通道的连接，合二为一成为一个整体，拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现，这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能。随着层数的不断增高，基于晶栈^®Xtacking^® 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。