第五代TLC 3D NAND闪存
存储容量
业界领先的I/O速度
基于晶栈®Xtacking® 4.0技术,I/O传输速度达3,600MT/s。
卓越的闪存性能
更高的闪存读写带宽,为系统产品带来更出色的性能表现。
更高的存储密度
业界领先的512Gb TLC 3D NAND存储密度,相比上一代产品密度提升48%。
更高的可靠性和数据耐久度
晶栈®Xtacking® 4.0技术平台为闪存带来更优异的可靠性和更高的数据耐久度。
*注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果,产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考,请以实际销售实物为准。
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