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Xtacking® 是长江存储核心专利和技术品牌,代表着长江存储在3D NAND存储技术领域的创新进取和卓越贡献
是长江存储面向企业客户、消费者推广3D NAND产品的关键所在,也是体现长江存储原创设计的代表品牌。
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Xtacking® 技术详解

创新发展,走出独具特色的技术路线

在两片晶圆上完成
独立的制造工艺

CMOS 外围电路晶圆

NAND存储阵列晶圆

通过金属互联通道VIAs
进行两片晶圆的键合

合并为牢固的整体
在Xtacking®架构推出前,市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA(CMOS under Array)架构。长江存储通过创新布局和缜密验证,经过长达8年在3D IC领域的技术积累和2年的研发验证后,终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。在指甲盖大小的面积上实现数百万根金属通道的连接,合二为一成为一个整体,拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现,这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能。随着层数的不断增高,基于Xtacking®所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。

8

技术积累

2

研发验证

创新架构
以科技赋能闪存技术革新
更快

Xtacking® 创新架构使3D NAND
能拥有更快的I/O传输速度

Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的逻辑工艺,从而让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤既可通过数百万根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,合二为一。
更高

Xtacking® 创新架构使3D NAND
能拥有更高的存储密度

在传统3DNAND架构中,外围电路约占芯片面积20~30%, Xtacking®技术创新的将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度,芯片面积可减少约25%。
更灵活

Xtacking®: 模组化的工艺
将提升研发效率并缩短生产周期

Xtacking®技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%。此外,这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。
Xtacking® 屡获殊荣

长江存储推出的 Xtacking® 技术
在全球行业活动中获得多项荣誉

2018年8月,长江存储在全球顶级闪存峰会“Flash Memory Summit”上发布了其革新技术Xtacking®架构, 并一举斩获大会最高荣誉“Best of Show“——“最具创新初创闪存企业”奖项。此奖项表彰对象为存储行业最具创新和探索精神的初创公司。
2020年1月2日,长江存储在由中国半导体投资联盟、中国半导体行业专业媒体集微网共同举办的“2020中国IC风云榜”中斩获“年度技术突破奖”,是中国半导体集成电路权威投资机构和专业媒体对长江存储创新能力和取得成果的肯定。
持续升级——Xtacking®2.0

在长江存储128层系列产品中,Xtacking®已全面升级至2.0,进一步释放3D NAND闪存潜能

Xtacking®2.0将充分利用Xtacking®架构优势为客户带来更多价值。其中包括:进一步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等。
通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的紧密合作,搭载Xtacking® 2.0技术的第三代产品将被广泛应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域,并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

长江存储将持续投入研发资源,以通过技术和产品的迭代,使每一代产品都具备强劲的市场竞争力,更好地满足全球客户的需求。



随着5G,人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。长江存储Xtacking®系列3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力,为未来三维闪存技术发展带来无限可能。