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第三代TLC 3D NAND闪存

X2-9060
基于Xtacking® 2.0技术的长江存储第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。 YMTC X2-9060进一步释放了3D NAND闪存潜能,具备行业领先的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗。可广泛应用于企业级、嵌入式及消费级等存储产品中,以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多场景下的存储需求。

存储容量

512Gb
产品详情

领先的I/O速度

YMTC X2-9060采用创新的Xtacking® 2.0 3D NAND闪存技术,实现行业领先的、高达1600MT/s*的I/O速度。

持续提升的读写性能

YMTC X2-9060存储密度高达8.30Gb/mm²*,单颗芯片容量可达512Gb*。相同的单位面积和封装尺寸下,提供两倍于第二代TLC 3D NAND闪存颗粒的存储密度,使产品设计更加灵活、容易。

非凡的功效表现

得益于长江存储第三代芯片设计和工艺的改良与算法的优化,YMTC X2-9060与第二代TLC 3D NAND闪存颗粒相比,读写性能提升20%*,同时功耗降低25%*。

增强的高可靠性

YMTC X2-9060通过长江存储严苛的检测标准和缜密的验证体系,保障数据存储安全可靠。

 

*注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果,产品型号、数据、性能、规格参数等产品信息仅供参考,请以实际销售实物为准。

 

技术规格
   产品型号 X2-9060

基本信息

ONFI版本

4.1

容量

512Gb
面数量 4
 页大小  16KB+2048B
每块的页数量 2304(36MB)
每面的可用块数量 495
运行环境 VCC(V) 2.35~3.6
VCCQ(V) 1.14~1.26
运行环境温度(℃) 0~70
性能 最大NV-DDR3速度-BGA(MT/s) 1600 (4-die/CH)
典型写入操作时间(us, TLC/SLC) 620 / 180
典型擦除操作时间(ms, TLC/SLC) 9/4
最大擦除操作时间(ms, TLC/SLC) 20/18
典型读操作时间(us, TLC/SLC) 46 / 26
可靠性 擦写周期(TLC/SLC) 3,000 / 60,000
数据保持度@100% 周期(TLC/SLC) 1 年@40°C
注释:本材料中所涉及的数据均为长江存储内部测试结果

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